casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H856R2BZA
codice articolo del costruttore | H856R2BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H856R2BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H856R2BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 56.2 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H856R2BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H856R2BZA-FT |
H851R1BCA
TE Connectivity Passive Product
H851R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H851R1BYA
TE Connectivity Passive Product
H851R1BZA
TE Connectivity Passive Product
H851R1DCA
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H851RBYA
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H851RFCA
TE Connectivity Passive Product
H851RFDA
TE Connectivity Passive Product
H851RFYA
TE Connectivity Passive Product
H851RFZA
TE Connectivity Passive Product
XC2V1500-5FG676I
Xilinx Inc.
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-6900C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C2N
Intel
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
XC7VX550T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBI356-3
Intel