casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H851RBYA
codice articolo del costruttore | H851RBYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H851RBYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H851RBYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 51 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H851RBYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H851RBYA-FT |
H84K02DZA
TE Connectivity Passive Product
H84K0BDA
TE Connectivity Passive Product
H84K12BCA
TE Connectivity Passive Product
H84K12BDA
TE Connectivity Passive Product
H84K12BYA
TE Connectivity Passive Product
H84K12BZA
TE Connectivity Passive Product
H84K1BYA
TE Connectivity Passive Product
H84K22BCA
TE Connectivity Passive Product
H84K22BDA
TE Connectivity Passive Product
H84K22BYA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel