casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H856K2BAA
codice articolo del costruttore | H856K2BAA |
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Numero di parte futuro | FT-H856K2BAA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H856K2BAA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 56.2 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±5ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H856K2BAA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H856K2BAA-FT |
H8511RBZA
TE Connectivity Passive Product
H8511RDCA
TE Connectivity Passive Product
H8511RDYA
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H851K1DCA
TE Connectivity Passive Product
H851K1DYA
TE Connectivity Passive Product
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG256I
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA7K2F40I3
Intel
10AX022C4U19I3SG
Intel
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
5AGXMA5G6F35C6N
Intel