casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8511RDYA
codice articolo del costruttore | H8511RDYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H8511RDYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8511RDYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 511 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8511RDYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8511RDYA-FT |
H8499RBZA
TE Connectivity Passive Product
H849K9BCA
TE Connectivity Passive Product
H849K9BDA
TE Connectivity Passive Product
H849K9BYA
TE Connectivity Passive Product
H849K9BZA
TE Connectivity Passive Product
H849R9BCA
TE Connectivity Passive Product
H849R9BDA
TE Connectivity Passive Product
H849R9BYA
TE Connectivity Passive Product
H849R9BZA
TE Connectivity Passive Product
H849R9FAA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel