casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8412RBYA
codice articolo del costruttore | H8412RBYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H8412RBYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8412RBYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 412 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8412RBYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8412RBYA-FT |
H83K24BZA
TE Connectivity Passive Product
H83K24FCA
TE Connectivity Passive Product
H83K32BCA
TE Connectivity Passive Product
H83K32BDA
TE Connectivity Passive Product
H83K32BYA
TE Connectivity Passive Product
H83K32BZA
TE Connectivity Passive Product
H83K32DCA
TE Connectivity Passive Product
H83K32DYA
TE Connectivity Passive Product
H83K32DZA
TE Connectivity Passive Product
H83K33BYA
TE Connectivity Passive Product
APA600-FG256I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484C6N
Intel
5SGSMD4K1F40C2N
Intel
5SGTMC7K2F40I2N
Intel
5SGXMA5N1F45I2N
Intel
5SGXMB6R1F43C2N
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBC652-2
Intel