casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H83K32BYA
codice articolo del costruttore | H83K32BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H83K32BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H83K32BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3.32 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H83K32BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H83K32BYA-FT |
H8374RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8374RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8374RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8374RBZA
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H837K4BCA
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H837K4BDA
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EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel