casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H8365RFDA
codice articolo del costruttore | H8365RFDA |
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Numero di parte futuro | FT-H8365RFDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8365RFDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 365 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8365RFDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H8365RFDA-FT |
H833K2BZA
TE Connectivity Passive Product
H833K2DCA
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H833K2DYA
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H833KFCA
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H833KFDA
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H833KFYA
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H833KFZA
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H833R2BCA
TE Connectivity Passive Product
H833R2BDA
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A54SX16A-1TQG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7N
Intel
5SGXEA3K2F35I2N
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PL84I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35I2N
Intel