casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H833K2BZA
codice articolo del costruttore | H833K2BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H833K2BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H833K2BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 33.2 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H833K2BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H833K2BZA-FT |
H8301KDCA
TE Connectivity Passive Product
H8301KDYA
TE Connectivity Passive Product
H8301KDZA
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H8301RBCA
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H8301RBZA
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H8301RDCA
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H8301RDYA
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H8301RDZA
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A54SX32A-2TQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C9LN
Intel
5SGSED6N3F45I4N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
LFXP20C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7N
Intel