casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H830R9BDA
codice articolo del costruttore | H830R9BDA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H830R9BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H830R9BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 30.9 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H830R9BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H830R9BDA-FT |
H82K21BZA
TE Connectivity Passive Product
H82K26BCA
TE Connectivity Passive Product
H82K26BDA
TE Connectivity Passive Product
H82K26BZA
TE Connectivity Passive Product
H82K26DCA
TE Connectivity Passive Product
H82K26DYA
TE Connectivity Passive Product
H82K26DZA
TE Connectivity Passive Product
H82K2BAA
TE Connectivity Passive Product
H82K2DYA
TE Connectivity Passive Product
H82K2FCA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-2000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TI144-2N
Intel
EP2S60F672C5N
Intel
5SEE9F45I2L
Intel
A42MX09-PLG84
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188AQC240-2
Intel
EP1K50QI208-2N
Intel