casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H82K2BAA
codice articolo del costruttore | H82K2BAA |
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Numero di parte futuro | FT-H82K2BAA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H82K2BAA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 2.2 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±5ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H82K2BAA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H82K2BAA-FT |
H827K4DYA
TE Connectivity Passive Product
H827K4DZA
TE Connectivity Passive Product
H827K4FDA
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H827KFCA
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H827R4BCA
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H827R4BDA
TE Connectivity Passive Product
H827R4BYA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX75-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA600-FG676
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40C2LN
Intel
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2SG
Intel
EP1S10F780C6
Intel
5SGXMA3H2F35I2N
Intel