casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H830R1DZA
codice articolo del costruttore | H830R1DZA |
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Numero di parte futuro | FT-H830R1DZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H830R1DZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 30.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H830R1DZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H830R1DZA-FT |
H82K21BDA
TE Connectivity Passive Product
H82K21BYA
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TE Connectivity Passive Product
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M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
EP3C5M164C7N
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6F23C7N
Intel
10AX115N4F45I3SG
Intel
10AX115U4F45I3SGE2
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K100EQI240-3
Intel