casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H82K2FZA
codice articolo del costruttore | H82K2FZA |
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Numero di parte futuro | FT-H82K2FZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H82K2FZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 2.2 kOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H82K2FZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H82K2FZA-FT |
H827KFYA
TE Connectivity Passive Product
H827KFZA
TE Connectivity Passive Product
H827R4BCA
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TE Connectivity Passive Product
H827R4DYA
TE Connectivity Passive Product
H827R4DZA
TE Connectivity Passive Product
H827RBCA
TE Connectivity Passive Product
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA7N3F40C3N
Intel
EP3SL340F1760C4L
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FFG896C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP4SGX180DF29I4N
Intel