casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H827R4BZA
codice articolo del costruttore | H827R4BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H827R4BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H827R4BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 27.4 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H827R4BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H827R4BZA-FT |
H8249KDYA
TE Connectivity Passive Product
H8249KDZA
TE Connectivity Passive Product
H8249RDCA
TE Connectivity Passive Product
H8249RDYA
TE Connectivity Passive Product
H8249RDZA
TE Connectivity Passive Product
H824K3BCA
TE Connectivity Passive Product
H824K3BDA
TE Connectivity Passive Product
H824K3BYA
TE Connectivity Passive Product
H824K3BZA
TE Connectivity Passive Product
H824K9BYA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel