casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H810K2BZA
codice articolo del costruttore | H810K2BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H810K2BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H810K2BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.2 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810K2BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H810K2BZA-FT |
H4P68RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P68RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P6K2FCA
TE Connectivity Passive Product
H4P6K2FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P6K81DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P6K8FCA
TE Connectivity Passive Product
H4P6K8FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P71K5DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P71K5DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P71R5DCA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C3N
Intel
10M16SCE144A7G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F35E3SG
Intel
EP2A70F1020C7
Intel