casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H424R3BYA
codice articolo del costruttore | H424R3BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H424R3BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H424R3BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 24.3 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H424R3BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H424R3BYA-FT |
H4110KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4110KDYA
TE Connectivity Passive Product
H4113KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4115KBYA
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H4118KBYA
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H411K3BYA
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H411K3BZA
TE Connectivity Passive Product
H411K5BYA
TE Connectivity Passive Product
H411K5BZA
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XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel