casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H424R3BYA
codice articolo del costruttore | H424R3BYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H424R3BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H424R3BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 24.3 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H424R3BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H424R3BYA-FT |
H4110KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4110KDYA
TE Connectivity Passive Product
H4113KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4115KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4115KDYA
TE Connectivity Passive Product
H4118KBYA
TE Connectivity Passive Product
H411K3BYA
TE Connectivity Passive Product
H411K3BZA
TE Connectivity Passive Product
H411K5BYA
TE Connectivity Passive Product
H411K5BZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel