casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H411K3BZA
codice articolo del costruttore | H411K3BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H411K3BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H411K3BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 11.3 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H411K3BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H411K3BZA-FT |
MPR20H12KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H15KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H1K0J
TE Connectivity Passive Product
MPR20H27KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H33RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H470RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C15KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C15RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C220RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C33RJ
TE Connectivity Passive Product
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K1F40C1N
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG676I
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C6N
Intel
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EPF10K50SQC208-2
Intel