casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H411K3BZA
codice articolo del costruttore | H411K3BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H411K3BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H411K3BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 11.3 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H411K3BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H411K3BZA-FT |
MPR20H12KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H15KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H1K0J
TE Connectivity Passive Product
MPR20H27KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H33RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20H470RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C15KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C15RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C220RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C33RJ
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel