casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H423R2BYA
codice articolo del costruttore | H423R2BYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H423R2BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H423R2BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 23.2 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H423R2BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H423R2BYA-FT |
H49R53BCA
TE Connectivity Passive Product
H81K0BDA
TE Connectivity Passive Product
H4P24RFZA
TE Connectivity Passive Product
H8100KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4P390RFZA
TE Connectivity Passive Product
H850KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4P2M2FZA
TE Connectivity Passive Product
H83K0BYA
TE Connectivity Passive Product
H4100KDYA
TE Connectivity Passive Product
H4100RBYA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX75-2CSG484I
Xilinx Inc.
XA3S1500-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG484I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE360H29C4
Intel
XC2VP20-6FFG896I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
EP1C20F400C6
Intel