casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H418R2BZA
codice articolo del costruttore | H418R2BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H418R2BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H418R2BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 18.2 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H418R2BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H418R2BZA-FT |
H416K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H416K2BZA
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TE Connectivity Passive Product
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XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
XCV100E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
M2GL005-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC5VLX330T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
5SGXMA3H3F35C4N
Intel