casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H416K2BYA
codice articolo del costruttore | H416K2BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H416K2BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H416K2BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 16.2 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H416K2BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H416K2BYA-FT |
H414R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H414R3BYA
TE Connectivity Passive Product
H414R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H414R7BCA
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H414R7BDA
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H414R7BYA
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H414R7BZA
TE Connectivity Passive Product
H414R7DYA
TE Connectivity Passive Product
H414RBCA
TE Connectivity Passive Product
H414RBDA
TE Connectivity Passive Product
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel