casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H418R2BYA
codice articolo del costruttore | H418R2BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H418R2BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H418R2BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 18.2 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H418R2BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H418R2BYA-FT |
H416K2BDA
TE Connectivity Passive Product
H416K2BYA
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H416K2BZA
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TE Connectivity Passive Product
H416K9BCA
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XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
APA450-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP1AGX20CF780I6
Intel