casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H413R7BDA
codice articolo del costruttore | H413R7BDA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H413R7BDA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H413R7BDA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 13.7 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H413R7BDA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H413R7BDA-FT |
H411R8BYA
TE Connectivity Passive Product
H411R8BZA
TE Connectivity Passive Product
H411RBCA
TE Connectivity Passive Product
H411RBDA
TE Connectivity Passive Product
H411RBYA
TE Connectivity Passive Product
H411RBZA
TE Connectivity Passive Product
H411RDYA
TE Connectivity Passive Product
H4120KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4121KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4121RBCA
TE Connectivity Passive Product
A54SX32A-2TQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C9LN
Intel
5SGSED6N3F45I4N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
LFXP20C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7N
Intel