casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H413R3BZA
codice articolo del costruttore | H413R3BZA |
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Numero di parte futuro | FT-H413R3BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H413R3BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 13.3 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H413R3BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H413R3BZA-FT |
H411R5DYA
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A1010B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG456I
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LFE2M70SE-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1CPGA196I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U1F45I1SG
Intel
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