casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H412R1DYA
codice articolo del costruttore | H412R1DYA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H412R1DYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H412R1DYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.1 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H412R1DYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H412R1DYA-FT |
H410R2BYA
TE Connectivity Passive Product
H410R2BZA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BDA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BYA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BZA
TE Connectivity Passive Product
H410R5DYA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BCA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BDA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BYA
TE Connectivity Passive Product
APA600-FG256I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484C6N
Intel
5SGSMD4K1F40C2N
Intel
5SGTMC7K2F40I2N
Intel
5SGXMA5N1F45I2N
Intel
5SGXMB6R1F43C2N
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBC652-2
Intel