casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H410R5BZA
codice articolo del costruttore | H410R5BZA |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-H410R5BZA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H410R5BZA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10.5 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H410R5BZA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H410R5BZA-FT |
H8681KDZA
TE Connectivity Passive Product
H868KFDA
TE Connectivity Passive Product
H868KFYA
TE Connectivity Passive Product
H868KFZA
TE Connectivity Passive Product
H86K19DYA
TE Connectivity Passive Product
H86K19DZA
TE Connectivity Passive Product
H86K49DYA
TE Connectivity Passive Product
H86K81DYA
TE Connectivity Passive Product
H86K81DZA
TE Connectivity Passive Product
H8715KDCA
TE Connectivity Passive Product
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F45I2LN
Intel
5SGXEA4H2F35C2L
Intel
XC4VLX80-10FFG1148C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3CSG324E
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780I4L
Intel