casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / H11AA1TVM
codice articolo del costruttore | H11AA1TVM |
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Numero di parte futuro | FT-H11AA1TVM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11AA1TVM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 4170Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 20% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | AC, DC |
Tipo di uscita | Transistor with Base |
Tensione - Uscita (max) | 30V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.17V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11AA1TVM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H11AA1TVM-FT |
FODM121
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FODM121V
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XC6SLX150T-3FG484C
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A54SX08A-1PQG208I
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A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
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10AX022E4F27I3LG
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5SGXMB9R2H43C2LN
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XC4020XL-2BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-12FFG676C
Xilinx Inc.
EP1AGX50DF780I6N
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