casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / FODM2705R2V
codice articolo del costruttore | FODM2705R2V |
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Numero di parte futuro | FT-FODM2705R2V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FODM2705R2V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 50% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 300% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 3µs, 3µs |
Tipo di input | AC, DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 40V |
Corrente - Uscita / Canale | 80mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.4V (Max) |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM2705R2V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FODM2705R2V-FT |
H11A817ASD
ON Semiconductor
H11A817B3SD
ON Semiconductor
H11A817BSD
ON Semiconductor
H11A817C3SD
ON Semiconductor
H11A817CSD
ON Semiconductor
H11A817D3SD
ON Semiconductor
H11A817DSD
ON Semiconductor
H11A817SD
ON Semiconductor
H11AA8143SD
ON Semiconductor
H11AA814A3SD
ON Semiconductor
LCMXO640E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
EP4CGX150CF23C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C2LN
Intel
XC5VLX85T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35I3G
Intel
EP20K200RC208-1V
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel