casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GURB5H60-E3/81
codice articolo del costruttore | GURB5H60-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-GURB5H60-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GURB5H60-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GURB5H60-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GURB5H60-E3/81-FT |
BY229B-800-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-800-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-800HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-800HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS459B-1500E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS459B-1500E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS459B-1500SE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS459B-1500SE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel