casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYV29B-300HE3/45
codice articolo del costruttore | BYV29B-300HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-BYV29B-300HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV29B-300HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV29B-300HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV29B-300HE3/45-FT |
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel