casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GUO40-12NO1
codice articolo del costruttore | GUO40-12NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-GUO40-12NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GUO40-12NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.28V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 5-SIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GUFP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GUO40-12NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GUO40-12NO1-FT |
VBO52-18NO7
IXYS
VBO72-08NO7
IXYS
VBO72-12NO7
IXYS
VBO72-16NO7
IXYS
VBO72-18NO7
IXYS
VUO62-08NO7
IXYS
VUO62-12NO7
IXYS
VUO62-14NO7
IXYS
VUO62-18NO7
IXYS
VUO82-08NO7
IXYS
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP3C5F256I7
Intel
XC4006E-4PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation