casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SS150TI60110
codice articolo del costruttore | SS150TI60110 |
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Numero di parte futuro | FT-SS150TI60110 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS150TI60110 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DE150 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS150TI60110 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS150TI60110-FT |
MDD26-14N1B
IXYS
MDD26-18N1B
IXYS
MDD44-08N1B
IXYS
MDD44-12N1B
IXYS
MDD44-14N1B
IXYS
MDD44-18N1B
IXYS
MDD56-08N1B
IXYS
MDD56-12N1B
IXYS
MDD56-14N1B
IXYS
MDD56-16N1B
IXYS
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel