casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DSSS35-008AR
codice articolo del costruttore | DSSS35-008AR |
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Numero di parte futuro | FT-DSSS35-008AR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSSS35-008AR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 35A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4mA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ISOPLUS247™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSSS35-008AR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSSS35-008AR-FT |
MEK350-02DA
IXYS
MEK300-06DA
IXYS
MEK250-12DA
IXYS
MEE250-12DA
IXYS
MEE75-12DA
IXYS
MDD95-16N1B
IXYS
MDD26-16N1B
IXYS
MEK95-06DA
IXYS
MDD26-08N1B
IXYS
MDD26-12N1B
IXYS
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel