casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-20ATS12PBF
codice articolo del costruttore | VS-20ATS12PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-20ATS12PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20ATS12PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ATS12PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-20ATS12PBF-FT |
60APU04
Vishay Semiconductor Diodes Division
60APU06
Vishay Semiconductor Diodes Division
60CPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
60CPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
60CPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
60CPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
60CPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
65PQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division
80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel