casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CRS12(TE85L,Q,M)
codice articolo del costruttore | CRS12(TE85L,Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-CRS12(TE85L,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CRS12(TE85L,Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-FLAT (1.6x3.5) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CRS12(TE85L,Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CRS12(TE85L,Q,M)-FT |
EGP30FHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30FHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30G-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP50AHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel