casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D015A120A
codice articolo del costruttore | GP2D015A120A |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D015A120A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D015A120A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 15A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 952pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D015A120A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D015A120A-FT |
VSSAF3M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division