casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSAF3M6HM3/I
codice articolo del costruttore | VSSAF3M6HM3/I |
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Numero di parte futuro | FT-VSSAF3M6HM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF3M6HM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 500pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF3M6HM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSAF3M6HM3/I-FT |
UG06AHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06C A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06C R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel