casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D012A065A
codice articolo del costruttore | GP2D012A065A |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D012A065A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D012A065A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65V @ 12A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 120µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 632pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D012A065A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D012A065A-FT |
DGS10-025A
IXYS
DGS10-030A
IXYS
DGS20-018A
IXYS
DGS20-025A
IXYS
DGS4-025A
IXYS
DHG10I1800PA
IXYS
DMA10I1600PA
IXYS
DNA30E2200PA
IXYS
DPF30I300PA
IXYS
DSEP15-03A
IXYS
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation