casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GP2D005A065C
codice articolo del costruttore | GP2D005A065C |
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Numero di parte futuro | FT-GP2D005A065C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D005A065C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65V @ 5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 264pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D005A065C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2D005A065C-FT |
VSSAF3M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel