casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP1M016A060F
codice articolo del costruttore | GP1M016A060F |
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Numero di parte futuro | FT-GP1M016A060F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1M016A060F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3039pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M016A060F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP1M016A060F-FT |
IRFU3709ZPBF
Infineon Technologies
IRFU3710Z
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IRFU3710Z-701P
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IRFU3710ZPBF
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IRFU3911PBF
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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EP4SGX360KF43C2
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Xilinx Inc.
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LCMXO3LF-1300E-5MG121I
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5CGXFC7C6U19A7N
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