casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP1M015A050FH
codice articolo del costruttore | GP1M015A050FH |
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Numero di parte futuro | FT-GP1M015A050FH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1M015A050FH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2263pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 53W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M015A050FH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP1M015A050FH-FT |
IRFU3709
Infineon Technologies
IRFU3709Z-701P
Infineon Technologies
IRFU3709ZPBF
Infineon Technologies
IRFU3710Z
Infineon Technologies
IRFU3710Z-701P
Infineon Technologies
IRFU3710ZPBF
Infineon Technologies
IRFU3711
Infineon Technologies
IRFU3711PBF
Infineon Technologies
IRFU3711ZPBF
Infineon Technologies
IRFU3806PBF
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel