casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / GLFR1608T3R3M-LR
codice articolo del costruttore | GLFR1608T3R3M-LR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GLFR1608T3R3M-LR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GLFR |
GLFR1608T3R3M-LR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 525mA |
Corrente - Saturazione | 120mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 230 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | - |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GLFR1608T3R3M-LR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GLFR1608T3R3M-LR-FT |
LQM2HPN1R0MJCL
Murata Electronics North America
LQM2HPN2R2NJCL
Murata Electronics North America
DFE252012F-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-100M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012F-6R8M=P2
Murata Electronics North America
AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel