casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GL34D-E3/98
codice articolo del costruttore | GL34D-E3/98 |
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Numero di parte futuro | FT-GL34D-E3/98 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
GL34D-E3/98 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 500mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA (GL34) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL34D-E3/98 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GL34D-E3/98-FT |
SE20FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FGHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH01-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH01HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel