casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N6480-E3/96
codice articolo del costruttore | 1N6480-E3/96 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6480-E3/96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
1N6480-E3/96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6480-E3/96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6480-E3/96-FT |
S1FLM-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLM-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL02-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL02-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL02-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL03-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL03-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL03-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL04-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL04-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel