casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GKR130/18
codice articolo del costruttore | GKR130/18 |
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Numero di parte futuro | FT-GKR130/18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GKR130/18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 165A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 60A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 22mA @ 1800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GKR130/18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GKR130/18-FT |
MBRH12060
GeneSiC Semiconductor
MBRH12060R
GeneSiC Semiconductor
MBRH12080
GeneSiC Semiconductor
MBRH12080R
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MBRH200100
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MBRH200100R
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MBRH200150
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MBRH200150R
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MBRH20020
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MBRH200200
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XC6SLX4-2TQG144I
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A54SX08-2TQ144I
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XCVU095-H1FFVC1517E
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EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
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EP3SL110F1152C4LN
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XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
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LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel