casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRH200150R
codice articolo del costruttore | MBRH200150R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRH200150R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRH200150R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-67 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH200150R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRH200150R-FT |
IDW32G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
IDW40G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
IDW15S120FKSA1
Infineon Technologies
IDW30E60AFKSA1
Infineon Technologies
IDFW40E65D1EXKSA1
Infineon Technologies
D4600U45X172XPSA1
Infineon Technologies
D2700U45X122XOSA1
Infineon Technologies
D1600U45X122XPSA1
Infineon Technologies
BAW78DE6327HTSA1
Infineon Technologies
HFA15PB60PBF
Infineon Technologies
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel