casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GKN130/12
codice articolo del costruttore | GKN130/12 |
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Numero di parte futuro | FT-GKN130/12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GKN130/12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 165A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 60A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 22mA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 180°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GKN130/12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GKN130/12-FT |
FR16MR05
GeneSiC Semiconductor
FR20A02
GeneSiC Semiconductor
FR20AR02
GeneSiC Semiconductor
FR20B02
GeneSiC Semiconductor
FR20BR02
GeneSiC Semiconductor
FR20D02
GeneSiC Semiconductor
FR20DR02
GeneSiC Semiconductor
FR20G02
GeneSiC Semiconductor
FR20J02
GeneSiC Semiconductor
FR20JR02
GeneSiC Semiconductor
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel