casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FR20B02
codice articolo del costruttore | FR20B02 |
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Numero di parte futuro | FT-FR20B02 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR20B02 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR20B02 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FR20B02-FT |
1N3297AR
GeneSiC Semiconductor
1N3671A
GeneSiC Semiconductor
1N3765
GeneSiC Semiconductor
1N3765R
GeneSiC Semiconductor
1N3766
GeneSiC Semiconductor
1N3766R
GeneSiC Semiconductor
1N3767
GeneSiC Semiconductor
1N3767R
GeneSiC Semiconductor
1N3880
GeneSiC Semiconductor
1N3880R
GeneSiC Semiconductor
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel