casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GKN130/08
codice articolo del costruttore | GKN130/08 |
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Numero di parte futuro | FT-GKN130/08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GKN130/08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 165A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 60A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 22mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 180°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GKN130/08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GKN130/08-FT |
FR16M05
GeneSiC Semiconductor
FR16MR05
GeneSiC Semiconductor
FR20A02
GeneSiC Semiconductor
FR20AR02
GeneSiC Semiconductor
FR20B02
GeneSiC Semiconductor
FR20BR02
GeneSiC Semiconductor
FR20D02
GeneSiC Semiconductor
FR20DR02
GeneSiC Semiconductor
FR20G02
GeneSiC Semiconductor
FR20J02
GeneSiC Semiconductor
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
Intel