casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GI752-E3/73
codice articolo del costruttore | GI752-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-GI752-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GI752-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | P600, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | P600 |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GI752-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GI752-E3/73-FT |
BAV21W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103CW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103CW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16D-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel