casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV21W-HE3-08
codice articolo del costruttore | BAV21W-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV21W-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV21W-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21W-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV21W-HE3-08-FT |
VS-80EPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.