casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DDB6U85N16LHOSA1
codice articolo del costruttore | DDB6U85N16LHOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-DDB6U85N16LHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDB6U85N16LHOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.44V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | AG-ISOPACK-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDB6U85N16LHOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDB6U85N16LHOSA1-FT |
MEA75-12DA
IXYS
MEA95-06DA
IXYS
MEE95-06DA
IXYS
MEK150-04DA
IXYS
MEK75-12DA
IXYS
MPK95-06DA
IXYS
MDD44-16N1B
IXYS
MCC95-08I01B
IXYS
MDA72-08N1B
IXYS
MDA72-14N1B
IXYS
A54SX32-TQG144
Microsemi Corporation
XC5204-6VQ100C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
EP4CE22F17I7N
Intel
XCV50-6BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel